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SK海力士开发适用第三代1Z纳米的16GbDDR4,实现单

2019-11-02 13:02

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在美光、三星先后搞定 1Znm 工艺的 16Gb DDR4 DRAM 内存芯片后,SK 海力士也终于跟上队伍了。

原作者: Lynn|来自: 镁客网

10月21日,SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4(Double Data Rate 4) DRAM。这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。于第二代1Y产品相比,该产品的生产效率提高了27%,并且可以在不适用超高价的EUV曝光工艺的情况下进行生产,结果具有成本竞争力。

昨日,SK 海力士宣布开发适用第三代 1Z 纳米 DDR4 动态随机存储器(DRAM)。SK 海力士称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的 16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的 DRAM 内最大。

在推进DRAM的制造技术上,三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。

该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率,这是DDR4规格内最高速度。 功耗也显着提高,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,将功耗降低了约40%。

与上一代 1Y nm 产品相比,其产能提升约 27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本竞争优势。

10月21日,SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米工艺的DDR4动态随机存储器,称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB,即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大。

特别是,第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

该款 1Z 纳米 DRAM 还稳定支持最高 3200Mbps 的数据传输速率,这是 DDR4 规格内最高速度。功耗也显着提高,与基于第二代 8Gb 产品的相同容量模组相比,将功耗降低了约 40%。

据悉,新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,达到DDR4规格内最高速度;同时在功耗方面,与上一代相同容量模组相比,降低了约40%;此外,与上一代1Y纳米产品相比,其产能提升约27%,因其无需昂贵的极紫外光刻加持,因此更具成本竞争优势。

DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示:“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应, 积极应对市场需求。”

特别是,第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将 DRAM 操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

值得指出的是,第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容,而随着电容的增加,存储数据的保留时间和一致性也会增加,因而稳定性得以提升。

SK海力士开发适用第三代1Z纳米的16GbDDR4,实现单一芯片标准内世界最大容量的DRAM发布。另一方面,SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。

据悉,SK 海力士第三代 10 纳米级 DDR4 DRAM 计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应。

对于产品的商用,SK海力士表示将在年内做好批量生产的准备,并于2020年开始全面供应,以积极响应市场需求。此外,它计划将第三代1Z纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

随着半导体工艺技术的发展,必须利用极紫外EUV设备制作更精细的电路,但SK Hynix第三代10nm级工艺无需昂贵的EUV设备即可生产。

接下来,SK 海力士计划将第三代 10 纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动 DRAM LPDDR5 和最高端 DRAM HBM3 等。

重要的是,第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容,电容是指存储电荷的数量/容量。随着DRAM电容的增加,数据的保留时间和一致性也会增加,这是DRAM的关键要素。另外,已经引入了新的设计技术以提高稳定性。

最后,SK hynix 计划将 1Znm 工艺扩展到各种应用,如下一代 LPDDR5 移动 DRAM、以及更快的 HBM3 显存上。

SK Hynix表示:第三代10nm级DDR4是满足行业客户寻求高性能/大容量DRAM的最佳产品,我们将在今年内做好批量生产的准备,并于2020年开始全面供应,并将积极响应市场需求。”

皇家国际官网,同时,SK海力士计划将第三代10nm级技术扩展到各种应用,例如下一代移动LPDDR5和HBM3。HBM是一种高性能产品,使用TSV技术作为高带宽存储器,比传统DRAM数据处理速度更快。

在DRM市场上,三星、SK海力士、美光合计占据超过90%以上的市占份额,相较于SK海力士,三星、美光早已投入了1znm工艺量产DRAM。

不过,在2019年3月份,三星宣布开发出的是第三代10纳米级8Gb DDR4,而且也不使用极紫外光刻设备处理,就突破了DRAM的技术挑战。新的1znm 8Gb DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上,计划在下半年开始量产,2020年满足企业服务器和高端PC应用的DRAM需求。

第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

接下来,SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示,该芯片计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应。

美光科技则是在2019年8月份宣布大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品,与前几代基于8Gb DDR4的产品相比,功耗降低约40%。美光在1Znm工艺世代以后,还将有1αnm、1βnm、1γnm进行微细化的工艺。

DRAM 1znm技术的发展,推动的是对DRAM容量和性能的提升,将满足服务器和PC市场需求,未来还将推出1znm的LPDDR5满足高端手机市场需求,迎接5G手机的到来。

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